您好,欢迎来到飞利飞科技有限公司

首页>IC芯片>2SD1628G-TD-E

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2sd1628g-td-e

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

规格书PDF

  • 芯片型号:

    2SD1628G-TD-E

  • PDF资料下载:

    下载资料

  • 原厂全称:

    ON Semiconductor

  • 原厂简称:

    ONSEMI

  • 页数:

    6

  • 文件大小:

    324 kb

  • 说明:

    Bipolar Transistor20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP